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Produkte

Unkonventionelle/spezielle Materialien


Produktdetail

Aluminiumlegierungspakete

NonconventionalSpecial Materials1

KURZE BESCHREIBUNG:
Die Vorteile der Aluminiumlegierung sind ihr geringes Gewicht, ihre robuste Festigkeit und die einfache Formbarkeit. Als solches wird es häufig bei der Herstellung von elektronischen Gehäusen verwendet.

HAUPTEIGENSCHAFTEN:
Hohe Wärmeleitfähigkeit
•Geringe Dichte
•Gute Plattier- und Bearbeitbarkeit, Drahtschneiden, Schleifen und Oberflächenvergoldung können durchgeführt werden.

MODELL WÄRMEAUSDEHNUNGSKOEFFIZIENT/×10-6 /K WÄRMELEITFÄHIGKEIT/W·(m·K)-1 DIE DICHTE VON/g·cm-3
A1 6061 22,6 210 2.7
A1 4047 21,6 193 2.6

Aluminium-Silizium-Metall-Pakete

Aluminum Silicon Metal Packages

KURZE BESCHREIBUNG:
Si/Al-Legierungen für Elektronikgehäuse beziehen sich hauptsächlich auf eutektische Legierungsmaterialien mit einem Siliziumgehalt von 11% bis 70%. Seine Dichte ist gering, der Wärmeausdehnungskoeffizient kann an Chip und Substrat angepasst werden und seine Wärmeableitung ist hervorragend. Auch seine Zerspanleistung ist ideal. Daher haben Si/Al-Legierungen ein enormes Potenzial in der Elektronikverpackungsindustrie.

HAUPTEIGENSCHAFTEN:
•Schnelle Wärmeableitung und hohe Wärmeleitfähigkeit können die bei der Entwicklung von Hochleistungsgeräten auftretenden Wärmeableitungsprobleme lösen.
•Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist kontrollierbar, wodurch eine Anpassung an den des Chips möglich ist und eine übermäßige thermische Belastung vermieden wird, die zu einem Geräteausfall führen kann.
•Geringe Dichte

CE-Legierungsbezeichnung Legierungszusammensetzung WAK,ppm/℃,25-100℃ Dichte, g/cm3 Wärmeleitfähigkeit bei 25℃ W/mK Biegefestigkeit (MPa) Streckgrenze (MPa) Elastizitätsmodul (GPa)
CE20 Al-12%Si 20 2.7
CE17 Al-27%Si 16 2.6 177 210 183 92
CE17M Al-27%Si* 16 2.6 147 92
CE13 Al-42%Si 12,8 2.55 160 213 155 107
CE11 Si-50%Al 11 2.5 149 172 125 121
CE9 Si-40%Al 9 2.45 129 140 134 124
CE7 Si-30%Al 7,4 2.4 120 143 100 129

Diamant/Kupfer, Diamant/Aluminium

DiamondCopper, DiamondAluminum

KURZE BESCHREIBUNG:
Diamant/Kupfer und Diamant/Aluminium sind Verbundwerkstoffe mit Diamant als Verstärkungsphase und Kupfer oder Aluminium als Matrixmaterial. Dies sind sehr wettbewerbsfähige und vielversprechende elektronische Verpackungsmaterialien. Sowohl bei Diamant-/Kupfer- als auch bei Diamant-/Aluminium-Metallgehäusen beträgt die Wärmeleitfähigkeit der Chipfläche ≥500 W/( m•K) -1, was die Leistungsanforderungen einer hohen Wärmeableitung der Schaltung erfüllt. Mit dem kontinuierlichen Ausbau der Forschung werden diese Gehäuseformen im Bereich Electronic Packaging eine immer wichtigere Rolle spielen.

HAUPTEIGENSCHAFTEN:
•Hohe Wärmeleitfähigkeit
•Der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) kann durch Ändern des Massenanteils der Diamant- und Cu-Materialien gesteuert werden
•Geringe Dichte
•Gute Plattier- und Bearbeitbarkeit, Drahtschneiden, Schleifen und Oberflächenvergoldung können durchgeführt werden

MODELL WÄRMEAUSDEHNUNGSKOEFFIZIENT/×10-4/K WÄRMELEITFÄHIGKEIT/W·(m·K)-1 DIE DICHTE VON/g·cm-3
DIAMANT60%-KUPFER40% 4 600 4.6
DIAMANT40%-KUPFER60% 6 550 5.1
DIAMANT-ALUMINIUM 7 >450 3.2

AlN-Substrat

AlN substrate

KURZE BESCHREIBUNG:
Aluminiumnitrid-Keramik ist ein technischer Keramikwerkstoff. Es hat ausgezeichnete thermische, mechanische und elektrische Eigenschaften, wie eine hohe elektrische Leitfähigkeit, eine kleine relative Dielektrizitätskonstante, einen linearen Ausdehnungskoeffizienten, der zu Silizium passt, eine ausgezeichnete elektrische Isolierung und eine geringe Dichte. Es ist ungiftig und stark. Mit der weit verbreiteten Entwicklung mikroelektronischer Bauelemente wird Aluminiumnitrid-Keramik als Basismaterial oder für das Gehäuse des Gehäuses immer beliebter. Es ist ein vielversprechendes Substrat für integrierte Hochleistungsschaltungen und ein Verpackungsmaterial.

HAUPTEIGENSCHAFTEN:
•Hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 270W/m•K), nahe an BeO und SiC und mehr als 5-mal höher als die von Al2O3
•Der Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht Si und GaAs
•Hervorragende elektrische Eigenschaften (relativ kleine Dielektrizitätskonstante, dielektrischer Verlust, Durchgangswiderstand, Durchschlagsfestigkeit)
•Hohe mechanische Festigkeit und ideale Bearbeitungsleistung
•Ideale optische und Mikrowelleneigenschaften
•Ungiftig


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